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2N2906 Technische Spezifikationen

PNP SS GP AMP MED PWR TRANS.

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type PNP
Power - Max 400mW
Package / Case TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Operating Temperature -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package TO-18
Packaging Bulk
Other Names 2N2906FS
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 600mA 400mW Through Hole TO-18
Current - Collector Cutoff (Max) -
Base Part Number 2N2906
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2N2903A Central Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2611
2N2903A Central Semiconductor Corp Arrays BJT-Transistoren
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2N2904A Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2973
2N2904A Microsemi Corporation Einzelne BJT-Transistoren

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2N2906 Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, 2N2906 Referenzpreis. 2N2906 Parameter, 2N2906 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden 2N2906 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden 2N2906 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, 2N2906 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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