2N5551TA Technische Spezifikationen

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V
Transistor Type NPN
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 100MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Base Part Number 2N5551
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Tape & Box (TB)
Other Names 2N5551TA-ND 2N5551TAFSTB 2N5551TATB 2N5551TATB-ND
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 17 Weeks
Frequency - Transition 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
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