2N7000TA Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names 2N7000TACT
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 27 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-92-3
Power Dissipation (Max) 400mW (Ta)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 60V 200mA (Tc) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Base Part Number 2N7000
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2N7000 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 61787
2N7000 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2253
2N7000 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 61847
2N7000 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
2N7000 IC Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 397
2N7000 MOS NXP Semiconductors / Freescale Spezialisierte heiße ICs 1843
2N7000,126 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2787
2N7000-D26Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 160397
2N7000-D26Z ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
2N7000-D74Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2764

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