2SA2040-E Technische Spezifikationen

TRANS PNP 50V 8A TP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP
Power - Max 1W
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 8A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 40mA, 2A
Supplier Device Package TP
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 330MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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2SA2007 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 852
2SA2007E LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2519
2SA2007E ROHM Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren

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