2SB1121S-TD-E Technische Spezifikationen

TRANS PNP 25V 2A SOT89-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Transistor Type PNP
Power - Max 500mW
Package / Case TO-243AA
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 75mA, 1.5A
Supplier Device Package PCP
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 150MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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2SB1100 NEC Spezialisierte heiße ICs 1387
2SB1103 Original Spezialisierte heiße ICs 2612
2SB1109 Original Spezialisierte heiße ICs 2289
2SB1109C HIT Spezialisierte heiße ICs 2386
2SB1111-K NEC Spezialisierte heiße ICs 2520
2SB1114 ROHM Spezialisierte heiße ICs 1355
2SB1114-T1 NEC Spezialisierte heiße ICs 53989
2SB1114-T1-AZ Renesas Electronics America Spezialisierte heiße ICs 434
2SB1114-T1/ZK NEC Spezialisierte heiße ICs 3249
2SB1114-T1/ZL NEC Spezialisierte heiße ICs 4308

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