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2SC6017-E Technische Spezifikationen

TRANS NPN 50V 10A TP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN
Power - Max 950mW
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 1A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 360mV @ 250mA, 5A
Supplier Device Package TP
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2SC6000 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 14117
2SC6000 MOS Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 4217
2SC6001 ROHM Spezialisierte heiße ICs 6000
2SC601-R(TX) PANASON Spezialisierte heiße ICs 2607
2SC6010 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 96481
2SC6010(T2MITUM,FM Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2667
2SC6011 Sanken Electric Co., Ltd. Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 1356
2SC6011 Sanken Einzelne BJT-Transistoren
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2SC6017-E Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, 2SC6017-E Referenzpreis. 2SC6017-E Parameter, 2SC6017-E Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden 2SC6017-E Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden 2SC6017-E Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, 2SC6017-E Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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