2SJ652-1E Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38 mOhm @ 14A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4360pF @ 20V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220F-3SG
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 30W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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