2SK3666-3-TB-E Technische Spezifikationen

JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - JFETs
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 180mV @ 1µA
Resistance - RDS(On) 200 Ohm
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4pF @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1.2mA @ 10V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 3-CP
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
FET Type N-Channel
Current Drain (Id) - Max 10mA
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