2SK4222 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 23A TO-3PB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package TO-3PB
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 220W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 340 mOhm @ 11.5A, 10V
Packaging Tray
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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2SK4201 Original Spezialisierte heiße ICs 14146
2SK4202 VB Spezialisierte heiße ICs 10409
2SK4203LS Sanyo Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 5970
2SK4206 PANASONIC Spezialisierte heiße ICs 230421
2SK4206GLBF- Panasonic Spezialisierte heiße ICs 170000
2SK4206GTLBF- Original Spezialisierte heiße ICs 430000
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2SK4207 TOS Spezialisierte heiße ICs 24676
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