2SK545-11D-TB-E Technische Spezifikationen

JFET N-CH 1MA 125MW CP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - JFETs
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 1.5V @ 1µA
Resistance - RDS(On) -
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1.7pF @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 60µA @ 10V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 3-CP
Power - Max 125mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
FET Type N-Channel
Current Drain (Id) - Max 1mA
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2SK54-C HITACHI Spezialisierte heiße ICs 930
2SK541 RENESAS Spezialisierte heiße ICs 12500
2SK5418 Original Spezialisierte heiße ICs 2614
2SK543 O Spezialisierte heiße ICs 17585
2SK543 MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 17937
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