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BC212L Technische Spezifikationen

TRANS PNP 50V 0.3A TO-92

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 300mA 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
Base Part Number BC212
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 2mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 300mA
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BC212 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 50004
BC212 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 50004
BC212 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
BC212 Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
BC212013BEN-E4 CSR Spezialisierte heiße ICs 2783
BC212013BL CSR Spezialisierte heiße ICs 5
BC212015BB N/A Spezialisierte heiße ICs 31
BC212015BBN-E4M CSR Spezialisierte heiße ICs 2753
BC212015BD CSR Spezialisierte heiße ICs 1238
BC212015BDN-E4 CSR Spezialisierte heiße ICs 21352

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