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BC517ZL1G Technische Spezifikationen

TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30000 @ 20mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100µA, 100mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Tape & Box (TB)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BC517 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 5390
BC517 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 99914
BC517 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
BC517,112 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2682
BC517,116 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2613
BC517-D74Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2729
BC517-D74Z ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
BC517/BC516 Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1000403
BC517/P KEC Spezialisierte heiße ICs 1369
BC517G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 5484

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