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BC849BLT3G Technische Spezifikationen

TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type NPN
Power - Max 300mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
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BC849 ST Spezialisierte heiße ICs 27268
BC849-B-RTK KEC Spezialisierte heiße ICs 81341
BC849-C-MTF SAMSUNG Spezialisierte heiße ICs 15309
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BC849AMTF Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 9326
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