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BCP56T1G Technische Spezifikationen

TRANS NPN 80V 1A SOT223

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type NPN
Power - Max 1.5W
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package SOT-223
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 130MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BCP56 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 433067
BCP56 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 5407
BCP56 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
BCP56 ,115 NXP Semiconductors / Freescale Spezialisierte heiße ICs 104294
BCP56 IC Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3276
BCP56 MOS Nexperia Spezialisierte heiße ICs 20254
BCP56,115 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 28000
BCP56,115 Nexperia USA Inc. Einzelne BJT-Transistoren
BCP56-10 NXP Spezialisierte heiße ICs 20471
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