BD13716S Technische Spezifikationen

TRANS NPN 60V 1.5A TO-126

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type NPN
Power - Max 1.25W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1.5A 1.25W Through Hole TO-126
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Base Part Number BD137
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package TO-126
Packaging Bulk
Other Names BD13716S-ND BD13716SFS
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 2 Weeks
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BD137 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2235
BD137 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
BD137-10 Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 511
BD13710S Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2770
BD13710S AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2770
BD13710S ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
BD13710STU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 5112
BD13710STU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 4842
BD13710STU ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
BD13716S Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 659

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