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BD13810S Technische Spezifikationen

TRANS PNP 60V 1.5A TO-126

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type PNP
Power - Max 1.25W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1.5A 1.25W Through Hole TO-126
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Base Part Number BD138
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package TO-126
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 63 @ 150mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BD138 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 5478
BD138 STMicroelectronics Einzelne BJT-Transistoren
BD138 Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
BD138 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
BD138 IC CJ Spezialisierte heiße ICs 10964
BD138 MOS Spezialisierte heiße ICs 2387
BD138-10 FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 3638
BD13810S Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2703
BD13810S ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
BD13810STU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 17870

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