BD675G Technische Spezifikationen

TRANS NPN DARL 45V 4A TO225

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 40W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 1.5A, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 30mA, 1.5A
Supplier Device Package TO-225AA
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500µA
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BD675 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 510
BD675 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
BD675 Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
BD6750FS ROHM Spezialisierte heiße ICs 462
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