BD681STU Technische Spezifikationen

TRANS NPN DARL 100V 4A TO-126

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 40W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 19 Weeks
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 1.5A, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 30mA, 1.5A
Supplier Device Package TO-126-3
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 4A 40W Through Hole TO-126-3
Current - Collector Cutoff (Max) 500µA
Base Part Number BD681
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BD681 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 5371
BD681 STMicroelectronics Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 92377
BD681 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
BD681 IC ST Spezialisierte heiße ICs 30330
BD681/BD682 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 100318
BD681/SOT-89 UTG Spezialisierte heiße ICs 2567
BD681G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 5399
BD681G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
BD681S Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2692
BD681S AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2540

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