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BDX34BTU Technische Spezifikationen

TRANS PNP 80V 10A TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type PNP
Power - Max 70W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 10A 70W Through Hole TO-220
Current - Collector Cutoff (Max) 500µA
Base Part Number BDX34
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 6mA, 3A
Supplier Device Package TO-220
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 3A, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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BDX34A ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
BDX34A Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
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BDX34B Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 3066
BDX34B AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 72009
BDX34B ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
BDX34B Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
BDX34B. Sanyo Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 66850

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