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BDX53C Technische Spezifikationen
TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220AB
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 65W |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 3A, 3V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 12mA, 3A |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500µA |
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-
Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
BDX53A | ST | Spezialisierte heiße ICs | 69 |
BDX53A-S | Bourns, Inc. | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2729 |
BDX53A-S | Bourns Inc. | Einzelne BJT-Transistoren | |
BDX53A/B/C | ST | Spezialisierte heiße ICs | 50379 |
BDX53ATU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2623 |
BDX53ATU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2712 |
BDX53ATU | Rochester Electronics, LLC | Einzelne BJT-Transistoren | |
BDX53ATU | ON Semiconductor | Einzelne BJT-Transistoren | |
BDX53B | STMicroelectronics | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 70350 |
BDX53B | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 1377 |
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