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BS108G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package TO-92-3
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250mA (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 100mA, 2.8V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BS108 BL Spezialisierte heiße ICs 24778
BS108 MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3347
BS108,126 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2584
BS108/01,126 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2701
BS108ZL1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2457
BS108ZL1G ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren

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