BS170-D27Z Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 200mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names BS170-D27ZTR BS170_D27Z BS170_D27Z-ND BS170_D27ZTR BS170_D27ZTR-ND
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 6 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 40pF @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-92-3
Power Dissipation (Max) 830mW (Ta)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 60V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Base Part Number BS170
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BS170 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 30427
BS170 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
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BS170 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 274
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BS170-D27Z ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
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