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BUH51G Technische Spezifikationen

TRANS NPN 500V 3A TO-225

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 500V
Transistor Type NPN
Series SWITCHMODE™
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 23MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 1A
Supplier Device Package TO-225AA
Power - Max 50W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 1A, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BUH51 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2539
BUH51 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
BUH513 ST Spezialisierte heiße ICs 2614
BUH515 ST Spezialisierte heiße ICs 375
BUH515 #T N/A Spezialisierte heiße ICs 1000
BUH515D ST Spezialisierte heiße ICs 466
BUH515DX ST Spezialisierte heiße ICs 2572
BUH517 ST Spezialisierte heiße ICs 339
BUH517D ST Spezialisierte heiße ICs 654
BUH51G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren

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