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BUV26G Technische Spezifikationen
TRANS NPN 90V 20A TO220AB
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 90V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 85W |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Current - Collector (Ic) (Max) | 20A |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1.2A, 12A |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | - |
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-
Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
BUV26 | STMicroelectronics | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 5472 |
BUV26 | Rochester Electronics, LLC | Einzelne BJT-Transistoren | |
BUV26A | ST | Spezialisierte heiße ICs | 60 |
BUV26G | ON Semiconductor | Einzelne BJT-Transistoren |
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