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BVSS138LT1G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 Ohm @ 200mA, 5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-23-3
Power Dissipation (Max) 225mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
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BVSS123LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 8471
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