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DTA113EET1G Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 1k
Power - Max 200mW
Package / Case SC-75, SOT-416
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Supplier Device Package SC-75
Resistor - Base (R1) (Ohms) 1k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 3 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTA1132KA ROHM Spezialisierte heiße ICs 24000
DTA1135EKAT146 ROHM Spezialisierte heiße ICs 3400
DTA113EET1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2749
DTA113EM3T5G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA113TKA T146 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 11747
DTA113TKA T146 IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 11783
DTA113TKAT146 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2608
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DTA113EET1G Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, DTA113EET1G Referenzpreis. DTA113EET1G Parameter, DTA113EET1G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DTA113EET1G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DTA113EET1G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DTA113EET1G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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