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EMD5DXV6T5G Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k, 47k
Power - Max 500mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SOT-563
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k, 47k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
EMD5DXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2681
EMD5DXV6T1 ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
EMD5DXV6T1 Rochester Electronics, LLC BJT-Transistor-Arrays
EMD5DXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2545
EMD5DXV6T1G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
EMD5DXV6T5G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays

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