FCB11N60TM Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperFET™
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D²PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 5.5A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names FCB11N60TMDKR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 52 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1490pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 11A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D²PAK
Base Part Number FCB11N60
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FCB110N65F AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 33393
FCB110N65F Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 551
FCB110N65F ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FCB110N65F MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 502
FCB11N60 FSC Spezialisierte heiße ICs 18736
FCB11N60 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 366
FCB11N60F Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 32363
FCB11N60FTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 37378
FCB11N60FTM Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 37378
FCB11N60TM Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1623

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