FCB20N60TM Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperFET™
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D²PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FCB20N60TM_NL FCB20N60TM_NLTR FCB20N60TM_NLTR-ND FCB20N60TMTR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 52 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3080pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 20A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount D²PAK
Base Part Number FCB20N60
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FCB2012KF-260T06 TAITECH Spezialisierte heiße ICs 3610
FCB2012KF-260T07 TAI-TEC Spezialisierte heiße ICs 40500
FCB2012WF-150T06 Spezialisierte heiße ICs 36362
FCB20N60 FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 1586
FCB20N60-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2571
FCB20N60F FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 18825
FCB20N60F-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 589
FCB20N60F-F085 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FCB20N60FTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 33529
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