FCD850N80Z Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 800V 6A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 600µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperFET® II
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FCD850N80ZTR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 52 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1315pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 6A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount DPAK
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FCD850N80Z Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 20303
FCD850N80Z ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren

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