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FCP11N60 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 11A TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperFET™
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1490pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 5.5A, 10V
Packaging Tube
Other Names FCP11N60_NL FCP11N60_NL-ND
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
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FCP11N40C Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 50
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