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FCPF11N65 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 650V 11A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220F
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 5.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1490pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperFET™
Power Dissipation (Max) 36W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V
FET Feature -
Detailed Description N-Channel 650V 11A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220F
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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FCPF11N60F Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 43769
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