FCU2250N80Z Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 260µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperFET® II
Power Dissipation (Max) 39W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package I-PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.25 Ohm @ 1.3A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 585pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 2.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole I-PAK
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FCU2250N80Z Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2651
FCU2250N80Z ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren

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