FDB060AN08A0 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 75V 80A TO-263AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 255W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Ta), 80A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D²PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 80A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FDB060AN08A0-ND FDB060AN08A0TR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 20 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5150pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Detailed Description N-Channel 75V 16A (Ta), 80A (Tc) 255W (Tc) Surface Mount D²PAK
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FDB060AN08A0 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 21602
FDB060AN08A0 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FDB060AN08A0 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 448
FDB060AN08AO FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 689
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