FDB13AN06A0 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 115W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D²PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5 mOhm @ 62A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names FDB13AN06A0CT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 6 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Detailed Description N-Channel 60V 10.9A (Ta), 62A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount D²PAK
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FDB13AN06A Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 32363
FDB13AN06A0 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 10422
FDB13AN06A0 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FDB13AN06AO Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 32397
FDB13N06A0 Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 32363

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