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FDB8880 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 55W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1240pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 11A (Ta), 54A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-263AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.6 mOhm @ 40A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FDB8880-ND FDB8880TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta), 54A (Tc)
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FDB8880 Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FDB8880 Referenzpreis. FDB8880 Parameter, FDB8880 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FDB8880 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FDB8880 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FDB8880 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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