FDC6322C Technische Spezifikationen

MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 220mA, 460mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Power - Max 700mW
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array N and P-Channel 25V 220mA, 460mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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