FDD16AN08A0_NF054 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 75V 50A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series UltraFET™
Power Dissipation (Max) 135W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta), 50A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1874pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Detailed Description N-Channel 75V 9A (Ta), 50A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount DPAK
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FDD1600N10ALZ AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 71314
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