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FDD18N20LZ Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V DPAK-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series UniFET™
Power Dissipation (Max) 89W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 8A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names FDD18N20LZDKR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 19 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1575pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Detailed Description N-Channel 200V 16A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D-Pak
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FDD18N20L Fairchild Spezialisierte heiße ICs 2900
FDD18N20LZ Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 26795
FDD18N20LZ ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren

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FDD18N20LZ Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FDD18N20LZ Referenzpreis. FDD18N20LZ Parameter, FDD18N20LZ Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FDD18N20LZ Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FDD18N20LZ Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FDD18N20LZ Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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