FDD850N10L Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28.9nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15.7A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 12A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names FDD850N10LCT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 6 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1465pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 15.7A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount DPAK
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FDD850N10L Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5254
FDD850N10L ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FDD850N10L MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 330
FDD850N10LD Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 18734
FDD850N10LD AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 21790
FDD850N10LD ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FDD850N10LD MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3136
FDD8580 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 85479
FDD8580 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 85479
FDD8580 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 22847

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