FDFMA2P853T Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 1.4W (Ta)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 20V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount MicroFET 2x2 Thin
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package MicroFET 2x2 Thin
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 3A, 4.5V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names FDFMA2P853TCT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
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FDFMA2N028Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 8778
FDFMA2N028Z Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 8778
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