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FDFS6N303 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names FDFS6N303_NLCT FDFS6N303_NLCT-ND FDFS6N303CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SO
Power Dissipation (Max) 900mW (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 6A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SO
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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