FDMB668P Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 1.9W (Ta)
Package / Case 8-PowerWDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2085pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 20V 6.1A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 6.1A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FDMB668PTR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.1A (Ta)
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FDMB668P Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2645
FDMB668P ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren

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