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FDMB668P Technische Spezifikationen
MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PowerTrench® |
Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
Package / Case | 8-PowerWDFN |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2085pF @ 10V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Detailed Description | P-Channel 20V 6.1A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9) |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±8V |
Supplier Device Package | 8-MLP, MicroFET (3x1.9) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 6.1A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | FDMB668PTR |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.1A (Ta) |
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Datenblätter
FDMB668P.pdf
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Die folgenden Teile umfassen 'FDMB6'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
FDMB668P | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2645 |
FDMB668P | ON Semiconductor | Einzelne MOSFET-Transistoren |
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