FDMC3612 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 8-MLP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Package / Case 8-PowerWDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-MLP (3.3x3.3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 3.3A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names FDMC3612CT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 23 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 880pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 3.3A (Ta), 16A (Tc) 2.3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
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