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FDMC8010 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 8-PQFN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Package / Case 8-PowerWDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5860pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 30A (Ta), 75A (Tc) 2.4W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount Power33
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package Power33
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FDMC8010-ND FDMC8010TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 94nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Ta), 75A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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