FDMD8630 Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Series PowerTrench®
Power - Max 2.3W (Ta), 43W (Tc)
Package / Case 8-PowerWDFN
Mounting Type Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9930pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 38A (Ta), 167A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-Power 5x6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 mOhm @ 38A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Lead Free Status Lead free
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 142nC @ 10V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 38A (Ta), 167A (Tc) 2.3W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount 8-Power 5x6
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