FDMQ8403 Technische Spezifikationen

MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12-MLP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Series GreenBridge™ PowerTrench®
Power - Max 1.9W
Package / Case 12-WDFN Exposed Pad
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 3.1A 1.9W Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 12-MLP (5x4.5)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FDMQ8403TR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 39 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 215pF @ 15V
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A
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