FDMS6681Z Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 241nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21.1A (Ta), 49A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 22.1A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names FDMS6681ZCT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 26 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10380pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description P-Channel 30V 21.1A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
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FDMS6673BZ AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 33002
FDMS6673BZ Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5818
FDMS6673BZ ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
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