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FDP032N08B-F102 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 263W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10965pF @ 40V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 80V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Tube
Other Names FDP032N08B_F102 FDP032N08B_F102-ND
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 144nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
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FDP030N06 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 34023
FDP030N06 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 34023
FDP030N06 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
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FDP032N08B-F102 Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FDP032N08B-F102 Referenzpreis. FDP032N08B-F102 Parameter, FDP032N08B-F102 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FDP032N08B-F102 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FDP032N08B-F102 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FDP032N08B-F102 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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