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FDP18N20F Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 18A TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series UniFET™
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 4 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1180pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 200V 18A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145 mOhm @ 9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FDP18N20 FSC Spezialisierte heiße ICs 25
FDP18N20F Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 25790
FDP18N20F ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FDP18N20V2 VB Spezialisierte heiße ICs 37365
FDP18N50 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 38082
FDP18N50 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 38082
FDP18N50 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FDP18N50 MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1403

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